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Technische Details C2M0045170P Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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C2M0045170P | Hersteller : WOLFSPEED |
 Description: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 PlustariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC |
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| C2M0045170P | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk |
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C2M0045170P | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V |
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