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Diotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N

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DI100N04D1

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DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.66 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

DI100N04D1-AQ

MOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

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DI100N04D1-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

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DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W

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DI100N04D1-AQ

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DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

DI100N04PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.29 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.07 EUR

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

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DI100N10PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 4836 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	1.56 EUR
51+	1.42 EUR
66+	1.09 EUR
67+	1.07 EUR
71+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 46

DI100N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W

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DI100N10PQ

auf Bestellung 4836 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

46+	1.56 EUR
51+	1.42 EUR
66+	1.09 EUR
67+	1.07 EUR
71+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 46

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

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DI100N10PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

auf Bestellung 3458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.17 EUR
10+	4.05 EUR
100+	2.43 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.32 EUR
2500+	2.04 EUR
5000+	1.32 EUR

DI100N10PQ

Description: MOSFET, 100V, 100A, 250W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1250+	5.55 EUR
2500+	4.32 EUR
5000+	2.94 EUR
10000+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 1250

DI100N10PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.35 EUR
10+	4.98 EUR
100+	2.97 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.85 EUR
2500+	2.52 EUR
5000+	2.38 EUR

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

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DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

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DI100N10PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification

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DI100S

09+

auf Bestellung 9018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI100S

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI100S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI100S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI1010S

08+ TQFP68

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI1010ST/P

Диодный мост SDIP-4 U=1000V I=1A

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	0.56 EUR
10+	0.52 EUR

DI1010S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI1010S_R2_00001

DI1010S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

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DI1010S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI1010S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Case: SDIP 4L
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 165

DI1010S_T0_00001

auf Bestellung 165 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

165+	0.43 EUR
335+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 165

DI1010_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI1010_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.81 EUR
50+	0.6 EUR
100+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 22

DI101S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI101S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI102S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI102S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI102_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102/TP//HF/0.05K/DIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10H/DI10-QI27/PJ///

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DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Produktcode: 81588

Bopla

Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Verdichter
Reihe, Typ, Gruppe: Корпусні елемети
Farbe: rot
Abmessungen, LхBхH: 109x45mm

auf Bestellung 20 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.25 EUR
10+	0.19 EUR

DI104S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI104S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI104S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI104S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

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DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

DI105N04PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

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DI105N04PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

DI105N04PQ-AQ

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DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 12

DI105N04PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4439 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	0.99 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

DI106

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	3.36 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

DI106S R2 00001

Bridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS

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DI106S-R2-00001

Bridge Rectifiers

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DI106S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI106S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI106_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DI106_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.2 EUR
2500+	0.18 EUR
5000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DI106_T0_00001

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DI108 _T0 _10001

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	0.44 EUR
18+	0.36 EUR
100+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 16

DI108-T0-00001

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DI108S-R2-00001

Panjit SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

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DI108S-T0-00001

Panjit SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

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DI108S_R2_00001

Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

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DI108S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

auf Bestellung 5803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.78 EUR
10+	0.6 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.23 EUR
1500+	0.21 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DI108S_R2_00001

Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 1234 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
30+	0.59 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DI108S_R2_00001

DI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

125+	0.57 EUR
544+	0.13 EUR
575+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 125

DI108S_T0_00001

Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.76 EUR
50+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DI108S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

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DI108S_T0_00001

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DI108S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

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DI108_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI108_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 27 Stücke:

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24+	0.76 EUR

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DI110N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 74A; Idm: 92A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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DI110N03PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N

auf Bestellung 4875 Stücke:

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1+	3.29 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.31 EUR
5000+	0.84 EUR

DI110N03PQ

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DI110N03PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V

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DI110N03PQ

Description: MOSFET, 30V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7462 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1250+	3.6 EUR
2500+	2.79 EUR
5000+	1.89 EUR
10000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 1250

DI110N03PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DI110N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

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DI110N03PQ-AQ

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DI110N03PQ-AQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

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DI110N04PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W

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DI110N04PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

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DI110N04PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N

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DI110N04PQ

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DI110N04PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

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DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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DI110N04PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET

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DI110N04PQ-AQ

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DI110N04PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.14 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

DI110N04PQ-AQ

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DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4842 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
15+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.67 EUR
2000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 12

DI110N06D1

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DI110N06D1

MOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N

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DI110N06D1

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DI110N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

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DI110N06D2

MOSFET MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.46 EUR
10+	5.05 EUR
100+	3.03 EUR
500+	2.99 EUR
800+	2.9 EUR
2400+	2.57 EUR
4800+	2.41 EUR

DI110N06D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N06D2

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N06D2

MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N06D2

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DI110N15PQ

Description: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ

Description: MOSFET N-CH 150V 110A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-AQ

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-AQ

Description: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-Q

Produkt ist nicht verfügbar

DI110N15PQ-Q

Produkt ist nicht verfügbar

DI114N06PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

DI114N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DI114N06PQ

Produkt ist nicht verfügbar

DI13001

Trans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R

Produkt ist nicht verfügbar

DI13001

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 10...40
Collector current: 0.25A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8W

Produkt ist nicht verfügbar

DI13001

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

DI13001

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN

auf Bestellung 2718 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.7 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.16 EUR
9000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DI13001

Produkt ist nicht verfügbar

DI135N06PQ

DI135N06PQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

DI150N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

DI150N03PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

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DI150N03PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N

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DI150N03PQ

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DI150N03PQ

Description: MOSFET, 30V, 150A, 86W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1250+	3.59 EUR
2500+	2.78 EUR
5000+	1.88 EUR
10000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 1250

DI150N04PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.47 EUR
10+	4.28 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.46 EUR
2500+	2.16 EUR
5000+	2.04 EUR

DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

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DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

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DI150S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

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DI150S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI150_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI1510-T0-00001

Bridge Rectifiers

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DI1510S

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI1510S-R2-00001

Bridge Rectifiers

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DI1510S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 1kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L

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DI1510S_R2_00001

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DI1510S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

auf Bestellung 12 Stücke:

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4+	0.75 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.28 EUR
1500+	0.25 EUR
9000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DI1510S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI1510_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
50+	0.6 EUR
100+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 24

DI1510_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.59 EUR
100+	0.44 EUR
500+	0.34 EUR
1000+	0.25 EUR
2500+	0.24 EUR
10000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 4

DI151S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

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DI151S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI151_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI152S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

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DI152S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI152_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI152_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V

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DI152_T0_00001

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DI154S

09+ sop

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI154S-L

08+ SOP

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI154S-L

0829+

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI154S_R2_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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DI154S_R2_00001

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DI154S_R2_00001

Bridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
1500+	0.23 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

DI154S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI154_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI15530-9

HARRIS

DIP

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

DI156

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	2.24 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

DI156S-AU_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI156S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI156S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI156_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI158S-R2-00001

Bridge Rectifiers

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DI158S-T0-00001

Bridge Rectifiers

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DI158S_R2_00001

DI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

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DI158S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI158S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI158_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

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DI170N03PQ