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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
RH600ExtechEnvironmental Test Equipment Handheld Dewpoint Meter
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RH60000GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RainHood Grey For PF50/60/70/65/67000
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RH60000GYHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
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RH60000LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood Steel/Light Grey
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RH60000LGHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
auf Bestellung 3 Stücke:
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RH60000N4GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Gray
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RH60000N4LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Lt.Gray
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RH60000N4S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 316 SS
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RH60000N4SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 304 SS
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RH60000SSHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
auf Bestellung 70 Stücke:
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RH60000SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - 304 SS
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1+515.93 EUR
5+ 515.72 EUR
10+ 515.63 EUR
25+ 512.81 EUR
50+ 508.18 EUR
100+ 500.67 EUR
250+ 500.56 EUR
RH6003TOSHIBASOT-89
auf Bestellung 800 Stücke:
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RH601ExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Probe for RH600
auf Bestellung 2 Stücke:
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1+989.74 EUR
RH601693HANRUN02+ SMD
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RH6045TLF-101MBOCHENSMD power inductor; inductance: 100uH; 20%; current: 1A; resistance: 0.559R; dimensions: 6x6x5mm equivalent: SRN6045-101M; VLS6045EX-101M SMD Power Inductor; 100uH D DJNR6045-100.0
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1230 Stücke:
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100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
RH60DZ-HMITSUBISHI60A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RH611C106KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
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RH611C106KA3LA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Waffle
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RH611C106KA3LA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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RH611C106KAA0A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
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RH611C106KAA0A3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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RH611C106KAARA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% Pad SMD 125C Low ESR T/R
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RH611C106KAARA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
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RH615C106MA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 50V X7R 20% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
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RH625C226KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 22uF 50V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
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RH627C155KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
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RH627C155KA3RA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
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RH6590AKU-AE2
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RH68R0JS55
auf Bestellung 100000 Stücke:
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RH6D28-330M
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
auf Bestellung 5281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.8 EUR
10+ 2.32 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7
RH6G040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 40V 95A MOSFET
auf Bestellung 5961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.78 EUR
1000+ 1.6 EUR
3000+ 1.36 EUR
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 23400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.44 EUR
6000+ 1.39 EUR
9000+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RH6L040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET N CHAN 60V HSMT8
auf Bestellung 8369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.26 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.16 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.72 EUR
3000+ 1.46 EUR
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
auf Bestellung 24821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.19 EUR
10+ 2.65 EUR
100+ 2.11 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RH6P040BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 100V 40A MOSFET
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+ 2.41 EUR
100+ 1.92 EUR
250+ 1.76 EUR
500+ 1.61 EUR
1000+ 1.54 EUR
3000+ 1.31 EUR
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
auf Bestellung 5970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
10+ 2.66 EUR
100+ 2.14 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RH6R025BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
auf Bestellung 5920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.97 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.81 EUR
500+ 1.65 EUR
1000+ 1.49 EUR
3000+ 1.3 EUR
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RH6R20JS12N
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
RH6VA24CA-T
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)