10N65 LGE
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
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Technische Details 10N65 LGE
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 10A, Power dissipation: 27.5W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.63Ω, Mounting: THT, Gate charge: 45nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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10N65 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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10N65 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Power dissipation: 27.5W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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