1ED3142MU12FXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details 1ED3142MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO, tariffCode: 85423190, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: DSO, Eingang: CMOS, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 1ED3142MU12FXUMA1 nach Preis ab 1.24 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Galvanically Isolated Gate Drivers |
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO tariffCode: 85423190 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: CMOS usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3142MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT-, Si- und SiC-MOSFET, 8 Pin(s), DSO tariffCode: 85423190 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT-, Si- und SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DSO Eingang: CMOS usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
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| 1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005586203 |
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1ED3142MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISOLATED DRIVER Packaging: Tape & Reel (TR) |
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