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1EDB7275FXUMA1

1EDB7275FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-1EDB7275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f99f1b3376 Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V
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Technische Details 1EDB7275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf Single-Channel Isolated Gate Driver
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf Single-Channel Isolated Gate Driver
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf Single-Channel Isolated Gate Driver
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51+ 2.94 EUR
52+ 2.81 EUR
100+ 2.34 EUR
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500+ 1.78 EUR
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_1EDB7275F_DataSheet_v02_02_EN-3360555.pdf Gate Drivers DRIVER IC
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-1EDB7275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d26f99f1b3376 Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
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Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
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Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
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euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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1EDB7275FXUMA1 1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf Single-Channel Isolated Gate Driver
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1EDB7275FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf OVERMOLD, RCPT SUBASSY, 9 POSN
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