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Technische Details 1N1200A GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Weitere Produktangebote 1N1200A nach Preis ab 5.82 EUR bis 10.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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1N1200A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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| 1N1200A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 12A 2-Pin DO-4 |
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1N1200A | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4 |
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1N1200A | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Si 100V 12A 2-Pin DO-4 |
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