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2ED2103S06FXUMA1

2ED2103S06FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-2ED2103S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766af58dde0551 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details 2ED2103S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2103S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-2ed2103s06f-datasheet-v02_03-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_2ED2103S06F_DataSheet_v02_03_EN-3360473.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-2ED2103S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766af58dde0551 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : INFINEON 3189128.pdf Description: INFINEON - 2ED2103S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : INFINEON 3189128.pdf Description: INFINEON - 2ED2103S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
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Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
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Ausgabeverzögerung: 90ns
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-2ed2103s06f-datasheet-v02_03-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
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2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-2ed2103s06f-datasheet-v02_03-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver with Integrated Boot Strap Diode
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