2N3055G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 15+ | 4.99 EUR |
| 20+ | 3.75 EUR |
| 21+ | 3.55 EUR |
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Technische Details 2N3055G ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N3055G nach Preis ab 2.73 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N3055G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V |
auf Bestellung 6533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3055G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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