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2N3117 PBFREE

2N3117 PBFREE Central Semiconductor

2n3117.pdf Hersteller: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
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Technische Details 2N3117 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.

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2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Hersteller : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
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2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Hersteller : Central Semiconductor CSEM_S_A0011843154_1-2539361.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
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2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Hersteller : Central Semiconductor Corp 2N3117.PDF Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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