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2N7000

2N7000 NXP

2N7000-D.PDF
Produktcode: 20638
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238 		Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238 		Hersteller : CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
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JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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Mindestbestellmenge: 4000
2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1710+ 0.042 EUR
3000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 850
2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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670+0.11 EUR
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1620+ 0.044 EUR
1720+ 0.042 EUR
4000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 670
2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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437+0.35 EUR
619+ 0.24 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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8000+ 0.067 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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289+0.53 EUR
588+ 0.25 EUR
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2500+ 0.15 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi / Fairchild ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
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2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.2 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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23+0.79 EUR
29+ 0.61 EUR
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500+ 0.34 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.21 EUR
5000+ 0.2 EUR
10000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 Hersteller : LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000 Hersteller : LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000 Hersteller : DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000 Hersteller : LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N7000 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.37 EUR
2N7000 Hersteller : NTE Electronics, Inc. ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
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150+1.07 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
2500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 150
2N7000 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+1.33 EUR
10+ 1.15 EUR
100+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diodes Incorporated ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET
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2N7000 2N7000 Hersteller : Vishay / Siliconix ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 60V 0.2A 0.4W
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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2N7000 2N7000 Hersteller : Microchip Technology supertex_2n7000-1181251.pdf MOSFET 60V 5Ohm
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2N7000 2N7000
Produktcode: 182880 		Hersteller : ST datasheet_2N7000.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics CD00005134-491325.pdf MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 128cd00005134.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw EDU-2N7000 SMD N channel transistors
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47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano)
Produktcode: 3509		 ECR_081225.pdf
47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8819 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.02 EUR
1000+ 0.018 EUR
GNL-5013IRAB G-Nor (IR (infrarot)-LED)
Produktcode: 23045		 5013IRXX.pdf
GNL-5013IRAB G-Nor (IR (infrarot)-LED)
Hersteller: G-Nor
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: IR (infrarot)-LED 940nm, 30°, 7mW, 1.5V, 30mA, 5mm
Größe: 5mm
Spannungsfall, V: 1,5 V
Winckel: 30°
THT
940 нм
auf Bestellung 2199 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 250 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.08 EUR
100+ 0.056 EUR
1000+ 0.048 EUR
1N4148
Produktcode: 176824		 1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 15000 Stück:
15000 Stück - erwartet 01.07.2024
10uF 25V ECR 5x11mm (ECR100M25B-Hitano)
Produktcode: 1245		 ECR_081225.pdf
10uF 25V ECR 5x11mm (ECR100M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2411 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.012 EUR
1000+ 0.011 EUR
10nF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1193		 X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 1457 Stück
erwartet: 8000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.03 EUR
100+ 0.012 EUR
1000+ 0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10