2SA1015Y TOSHIBA
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2SA1015-Y |
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2SA1015Y |
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2SA1015-Y | Hersteller : Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), |
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2SC1815Y Produktcode: 15198 |
Hersteller: DC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,15
h21: 700
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 80 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,15
h21: 700
ZCODE: THT
auf Bestellung 1061 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.048 EUR |
100+ | 0.039 EUR |
1000+ | 0.031 EUR |
2SC5198+2SA1941 Paar (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 36709 |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 140
Ic,A: 10
h21: 160
Bem.: Пара
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 140
Ic,A: 10
h21: 160
Bem.: Пара
ZCODE: THT
auf Bestellung 84 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.14 EUR |
2SA1013-Y Produktcode: 30631 |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
fT: 50 MHz
U, V: 160
U, V: 160
I, А: 1
h21,max: 200
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
fT: 50 MHz
U, V: 160
U, V: 160
I, А: 1
h21,max: 200
auf Bestellung 628 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.22 EUR |
100+ | 0.19 EUR |
2SC2240 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 32439 |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 120
Ucbo,V: 120
Ic,A: 0,1
h21: 700
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 120
Ucbo,V: 120
Ic,A: 0,1
h21: 700
ZCODE: THT
auf Bestellung 152 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.2 EUR |
10+ | 0.19 EUR |
100+ | 0.18 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 26837 Stück:
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