A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
auf Bestellung 2193 Stücke:
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| 1+ | 34.13 EUR |
| 10+ | 31.47 EUR |
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Technische Details A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.
Weitere Produktangebote A3G26D055NT4 nach Preis ab 37.24 EUR bis 57.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V |
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A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
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