A3G26D055NT4 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
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Technische Details A3G26D055NT4 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.
Weitere Produktangebote A3G26D055NT4 nach Preis ab 31.25 EUR bis 34.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
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A3G26D055NT4 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
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