AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor
Hersteller: Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230-4L2L
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 800 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230-4L2L
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 800 mA
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-1230-4L2L, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 17.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 800 mA.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AFT18H357-24NR6 | Hersteller : NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AFT18H357-24NR6 | Hersteller : NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V |
Produkt ist nicht verfügbar |