AO4266E

AO4266E Alpha & Omega Semiconductor


12851270456196050ao4266e.pdf Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details AO4266E Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 30 V.

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AO4266E AO4266E Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4266E.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
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230+ 0.31 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 6.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
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