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AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory

256M-AS4C16M16D1-1288366.pdf Hersteller: Alliance Memory
DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
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Technische Details AS4C16M16D1-5BCN Alliance Memory

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1-5BCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TFBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR1, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 256Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 2.5V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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AS4C16M16D1-5BCN AS4C16M16D1-5BCN Hersteller : ALLIANCE MEMORY 3999944.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16D1-5BCN - DRAM, DDR1, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, TFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR1
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 256Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.5V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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AS4C16M16D1-5BCN Hersteller : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 2.5V
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AS4C16M16D1-5BCN AS4C16M16D1-5BCN Hersteller : Alliance Memory, Inc. 256M-AS4C16M16D1.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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AS4C16M16D1-5BCN Hersteller : ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 2.5V; 200MHz; 15ns; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bit
Clock frequency: 200MHz
Access time: 15ns
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Operating voltage: 2.5V
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