AUIRF3205Z Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.96 EUR |
| 50+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
| 2000+ | 2.42 EUR |
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Technische Details AUIRF3205Z Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote AUIRF3205Z nach Preis ab 2.57 EUR bis 5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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AUIRF3205Z | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms |
auf Bestellung 1048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF3205Z | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF3205Z | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF3205Z | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF3205Z | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |