B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
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Technische Details B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube, Mounting: THT, Case: TO220-2, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.6V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 34A, Leakage current: 20µA, Power dissipation: 39W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis ohne MwSt | ||||
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B2D04065K1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; 39W; TO220-2; tube Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W |
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