B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
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Technische Details B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube, Mounting: THT, Max. forward impulse current: 85A, Leakage current: 10µA, Case: TO220ISO, Kind of package: tube, Power dissipation: 47W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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B2D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Case: TO220ISO Kind of package: tube Power dissipation: 47W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode |
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