B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Power dissipation: 159W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 190A
Max. forward voltage: 1.78V
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| 11+ | 6.99 EUR |
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Technische Details B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Power dissipation: 159W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 190A, Max. forward voltage: 1.78V, Leakage current: 40µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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B2D20120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Power dissipation: 159W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 190A Max. forward voltage: 1.78V Leakage current: 40µA |
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