B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
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Technische Details B80C800GL-801E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT WOG, Packaging: Bag, Package / Case: 4-Circular, WOG, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: WOG, Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V, Current - Average Rectified (Io): 900 mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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B80C800GL-801E4/51 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT WOG Packaging: Bag Package / Case: 4-Circular, WOG Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: WOG Voltage - Peak Reverse (Max): 125 V Current - Average Rectified (Io): 900 mA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 900 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V |
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B80C800GL-801E4/51 | Hersteller : Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 125V 0.9A 4-Pin Case WOG |
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