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BA885E6327

BA885E6327 Infineon Technologies

INFNS15691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: BA885 - PIN DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
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Technische Details BA885E6327 Infineon Technologies

Category: Diodes - others, Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: single diode, Leakage current: 20nA, Type of diode: switching, Features of semiconductor devices: PIN; RF, Mounting: SMD, Case: SOT23, Capacitance: 0.19...0.45pF, Max. off-state voltage: 50V, Load current: 50mA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BA885E6327 BA885E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 0.19...0.45pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BA885E6327 BA885E6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 0.19...0.45pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
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BA 885 E6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BA595_BA885_BA895SERIES-DS-v01_01-en-1226033.pdf PIN Diodes Silicon PIN Diode
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