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BCR523UE6327

BCR523UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES

BCR523.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SC74; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
295+0.24 EUR
340+ 0.21 EUR
385+ 0.19 EUR
410+ 0.18 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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Technische Details BCR523UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 330mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SC74-6-1, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BCR523UE6327 BCR523UE6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BCR523.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SC74; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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BCR523UE6327 Hersteller : Infineon INFNS16394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw NPN 50V 500mA 100MHz 330mW BCR523UE6327 TBCR523u
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BCR 523U E6327 Hersteller : Infineon Technologies bcr523series-55767.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
auf Bestellung 17994 Stücke:
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100+ 0.47 EUR
250+ 0.44 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
BCR523UE6327 BCR523UE6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS16394-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SC74-6-1
Part Status: Active
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