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BD239C

BD239C STMicroelectronics

CD00000937.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Frequency: 3MHz
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Technische Details BD239C STMicroelectronics

Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics CD00000937.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1102 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
177+0.4 EUR
197+ 0.36 EUR
224+ 0.32 EUR
248+ 0.29 EUR
262+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 177
BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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388+ 0.38 EUR
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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+ 0.24 EUR
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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics bd239c-1848958.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
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BD239C BD239C Hersteller : onsemi bd239c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
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200+ 1.21 EUR
600+ 1.03 EUR
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BD239C BD239C Hersteller : onsemi / Fairchild BD239C_D-2310371.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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2400+ 0.75 EUR
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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD239C BD239C Hersteller : ONSEMI BD239C-D.pdf Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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BD239C Hersteller : ARK en.CD00000937.pdf bd239c-d.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD239C Hersteller : ST en.CD00000937.pdf bd239c-d.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BD239C Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00000937.pdf bd239c-d.pdf NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125
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BD239C
Produktcode: 161416 		en.CD00000937.pdf bd239c-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BD239C BD239C Hersteller : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: bulk
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 40
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000937.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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BD239C BD239C Hersteller : ON Semiconductor 3650222351752895bd239b.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BD239C BD239C Hersteller : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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BD239C BD239C Hersteller : STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD239C BD239C Hersteller : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: bulk
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 40
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
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