BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB ~ 15dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
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| BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 8GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BF771E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 8GHz |
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