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BFP450H6327

BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES

BFP450H6327-dte.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
105+0.69 EUR
128+ 0.56 EUR
143+ 0.5 EUR
157+ 0.46 EUR
163+ 0.44 EUR
167+ 0.43 EUR
250+ 0.41 EUR
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Technische Details BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V, Frequency - Transition: 24GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

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BFP450H6327 BFP450H6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BFP450H6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
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167+ 0.43 EUR
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BFP 450 H6327 BFP 450 H6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BFP450_DS_v02_00_EN-2309353.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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10+ 0.92 EUR
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1000+ 0.48 EUR
3000+ 0.4 EUR
6000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
BFP450H6327 Hersteller : Infineon INFNS27309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT343 Uceo=4,5V; Ic=0,1A; ft=24GHz; Pdmax=0,45W; hfe=60 @ 50mA, 4V
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10+ 2.47 EUR
BFP450H6327 BFP450H6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
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