BFP 650 H6327 Infineon Technologies
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Technische Details BFP 650 H6327 Infineon Technologies
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343, Mounting: SMD, Case: SOT343, Power dissipation: 0.5W, Technology: SiGe:C, Kind of package: reel; tape, Kind of transistor: RF, Frequency: 42GHz, Collector-emitter voltage: 13V, Collector current: 0.15A, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BFP 650 H6327 nach Preis ab 0.49 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BFP650H6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Power dissipation: 0.5W Technology: SiGe:C Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 42GHz Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BFP650H6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Power dissipation: 0.5W Technology: SiGe:C Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 42GHz Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
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