BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BFR840L3RHESDE6327XTSA1 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.02 EUR
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 75GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Транз. Бипол. ВЧ NPN SOT-883 (TSLP-3) Uceo=2,6 V; Icmax=35 mA; Ft=75 GHz; Pdmax=0,075 W: hfe=150: Nf=0,5 dB@4550 GHz |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 75GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3 Part Status: Active |
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