BGR 420 H6327 Infineon Technologies
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Technische Details BGR 420 H6327 Infineon Technologies
Description: BIASED LOW NOISE RF TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Gain: 26dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BGR420H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: BIASED LOW NOISE RF TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Part Status: Active |
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