BSDH06G65E2 Bourns
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Technische Details BSDH06G65E2 Bourns
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote BSDH06G65E2 nach Preis ab 1.66 EUR bis 3.68 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSDH06G65E2 | Hersteller : Bourns Inc. |
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
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BSDH06G65E2 | Hersteller : Bourns | 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
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