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Technische Details BSH201,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSH201,215 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A On-state resistance: 4.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A On-state resistance: 4.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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BSH201,215 Produktcode: 116680 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia | MOSFETs BSH201/SOT23/TO-236AB |
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BSH201,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : NXP |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BSH201,215 | Hersteller : NXP/Nexperia/We-En | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : NXP Semiconductors | SOT-23 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Hersteller : NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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