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BSH201,215

BSH201,215 Nexperia


169836107830299bsh201.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH201,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH201.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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582+ 0.26 EUR
588+ 0.24 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA BSH201.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 4.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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162+0.44 EUR
205+ 0.35 EUR
293+ 0.24 EUR
345+ 0.21 EUR
514+ 0.14 EUR
544+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA BSH201.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 4.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
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BSH201,215 BSH201,215
Produktcode: 116680
BSH201.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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365+ 0.39 EUR
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6000+ 0.11 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia BSH201.pdf MOSFETs BSH201/SOT23/TO-236AB
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100+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH201.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V
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27+0.67 EUR
39+ 0.45 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.21 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39719 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39719 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 454165.pdf Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
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BSH201,215 Hersteller : NXP BSH201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSH201,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BSH201.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3
auf Bestellung 8 Stücke:
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8+0.79 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSH201,215 Hersteller : NXP Semiconductors BSH201.pdf SOT-23
auf Bestellung 19 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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