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BSH203,215

BSH203,215 Nexperia

170827593135724bsh203.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH203,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.66 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH203.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V
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9000+ 0.15 EUR
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : NEXPERIA BSH203.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 1.65Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
290+0.25 EUR
325+ 0.22 EUR
425+ 0.17 EUR
450+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 290
BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : NEXPERIA BSH203.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 1.65Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia BSH203-2937565.pdf MOSFET BSH203/SOT23/TO-236AB
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH203.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : NEXPERIA 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : Nexperia 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.66 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSH203,215 BSH203,215 Hersteller : NEXPERIA 170827593135724bsh203.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
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