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BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Name: BSL316CH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5959940-3
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Technische Details BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Beschreibung

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 502 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
177+	0.4 EUR
269+	0.27 EUR
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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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269+	0.27 EUR
336+	0.21 EUR
355+	0.2 EUR

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

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10+	0.56 EUR
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500+	0.36 EUR
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3000+	0.26 EUR
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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf

Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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500+	0.4 EUR
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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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192+	0.81 EUR
218+	0.68 EUR
220+	0.65 EUR
269+	0.51 EUR
271+	0.49 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 192

BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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21+	0.84 EUR
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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 18815 Stücke:

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : INFINEON

INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119
Verlustleistung, p-Kanal: 500
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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BSL316CH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

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