BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Technology: OptiMOS™ 2
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6, Technology: OptiMOS™ 2, Case: TSOP6, Mounting: SMD, On-state resistance: 31mΩ, Power dissipation: 2W, Polarisation: unipolar, Drain current: 7.5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BSL802SNH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 |
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MOSFET SMALL SIGNALN-CH |
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BSL802SNH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6 Technology: OptiMOS™ 2 Case: TSOP6 Mounting: SMD On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 7.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V |
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