BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
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Technische Details BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSZ028N04LSATMA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc) Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 63W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 50W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.8mΩ Drain current: 20A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSZ028N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 50W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.8mΩ Drain current: 20A Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 |
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