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BSZ0501NSIATMA1

BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon_BSZ0501NSI_DataSheet_v02_02_EN-3361113.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
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Technische Details BSZ0501NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

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BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8 Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
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BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Hersteller : INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
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BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Hersteller : INFINEON 4019772.pdf Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
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BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ0501NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8 Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
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BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz0501nsi.pdffileid5546d4624cb7f111014cff6f9da822b8.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
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