BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSZ058N03LSGATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BSZ058N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ058N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ058N03LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSZ058N03LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON |
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BSZ058N03LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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