BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.1/-3.2A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSZ15DC02KDHXTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 5.1/-3.2A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 63/164mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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