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BUK6D120-60PX

BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc.


BUK6D120-60P.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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406+ 0.33 EUR
501+ 0.25 EUR
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia BUK6D120_60P-1539811.pdf MOSFETs BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK6D120-60P.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : NEXPERIA buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : NEXPERIA 2632126.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : NEXPERIA 2632126.pdf Description: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : NEXPERIA buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BUK6D120-60PX Hersteller : NXP BUK6D120-60P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Substitute: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ; BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BUK6D120-60PX Hersteller : NEXPERIA BUK6D120-60P.pdf BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
auf Bestellung 5603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
341+ 0.21 EUR
360+ 0.2 EUR
3000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 129
BUK6D120-60PX BUK6D120-60PX Hersteller : Nexperia buk6d120-60p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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