BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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Technische Details BYG10M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYG10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BYG10M-E3/TR nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs |
auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 8450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt |
auf Bestellung 29134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
auf Bestellung 88693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYG10 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 37654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG10M-E3/TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 37750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 83400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BYG10M-E3/TR | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
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