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Technische Details BYW80-200G onsemi
Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220B, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYW80, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BYW80-200G nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BYW80-200G | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 22 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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BYW80-200G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BYW80-200G | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220-2 Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220-2 Heatsink thickness: 1.15...1.39mm |
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BYW80-200G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BYW80-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220B Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYW80 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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BYW80-200G Produktcode: 101730 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
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BYW80-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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BYW80-200G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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