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Technische Details C3M0030090K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V.
Weitere Produktangebote C3M0030090K nach Preis ab 45.36 EUR bis 78.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm |
auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V |
auf Bestellung 2709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0030090K | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 149W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0030090K Produktcode: 143865 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Reverse recovery time: 62ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 149W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 87nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0030090K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns Reverse recovery time: 62ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 40A On-state resistance: 37mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 149W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 87nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...15V Mounting: THT Case: TO247-4 |
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