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C3M0280090D

C3M0280090D Wolfspeed

wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Technische Details C3M0280090D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0280090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 54W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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13+ 5.56 EUR
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0280090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 54W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
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Mindestbestellmenge: 3
C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : WOLFSPEED CREE-S-A0015064744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed c3m0280090d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0280090D
Produktcode: 123313 		Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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