CDBA140-G

CDBA140-G Comchip Technology


17cdba120-g20thru934256.20cdba1100-g20revc.pdf Hersteller: Comchip Technology
Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details CDBA140-G Comchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V.

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CDBA140-G CDBA140-G Hersteller : Comchip Technology 17cdba120-g20thru934256.20cdba1100-g20revc.pdf Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA T/R
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CDBA140-G CDBA140-G Hersteller : Comchip Technology CDBA120-G%7ECDBA1100-G.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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CDBA140-G CDBA140-G Hersteller : Comchip Technology CDBA140_HF_Thru192841__CDBA1100_HF_RevB-2505062.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE 1A, 40V
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CDBA140-G CDBA140-G Hersteller : Comchip Technology CDBA120-G%7ECDBA1100-G.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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