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Technische Details CE3512K2 CEL
Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX, Packaging: Strip, Package / Case: 4-Micro-X, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Power - Output: 125mW, Gain: 13.7dB, Technology: pHEMT FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: 4-Micro-X, Part Status: Active, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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CE3512K2 | Hersteller : CEL |
 Description: RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROXPackaging: Strip Package / Case: 4-Micro-X Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Power - Output: 125mW Gain: 13.7dB Technology: pHEMT FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: 4-Micro-X Part Status: Active Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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CE3512K2 | Hersteller : California Eastern Laboratories |
Trans RF FET 4V 0.068A 4-Pin Micro-X T/R |
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