CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM
Hersteller: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R.
Weitere Produktangebote CIG21W2R2MNE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
-2,00x1.25x,80mm.jpg "CIG21W2R2MNE") |
CIG21W2R2MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
CIG21W2R2MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| CIG21W2R2MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Samsung CIG,Power Inductor,0805,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20% |
Produkt ist nicht verfügbar |