CIG32W1R0MNE Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Technische Details CIG32W1R0MNE Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 0.06Ohm DCR 1210 T/R.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CIG32W1R0MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
 Description: FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD |
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CIG32W1R0MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD |
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CIG32W1R0MNE | Hersteller : SAMSUNGEM |
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 0.06Ohm DCR 1210 T/R |
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