Technische Details CM300DU-12F MIT
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Application: Inverter, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Case: 62MM, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Pulsed collector current: 600A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote CM300DU-12F
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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CM300DU-12F | Hersteller : MITSUBISHI |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CM300DU-12F | Hersteller : MITSUBISHI | 300A/600V/IGBT/2U |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CM300DU-12F | Hersteller : MITSUBISHI | A4-3 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CM300DU-12F | Hersteller : module |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CM300DU-12F Produktcode: 37655 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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CM300DU-12F | Hersteller : MITSUBISHI ELECTRIC |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Application: Inverter Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: 62MM Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CM300DU-12F | Hersteller : Powerex Inc. | Description: IGBT MOD 600V 300A 830W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CM300DU-12F | Hersteller : MITSUBISHI ELECTRIC |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Application: Inverter Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: 62MM Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Electrical mounting: FASTON connectors; screw |
Produkt ist nicht verfügbar |