Produkte > ONSEMI > CPH6341-TL-W
CPH6341-TL-W

CPH6341-TL-W onsemi


cph6341-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.37 EUR
6000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details CPH6341-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote CPH6341-TL-W nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 59mΩ
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
165+0.44 EUR
190+ 0.38 EUR
260+ 0.28 EUR
275+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : ONSEMI cph6341-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.6W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 59mΩ
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
165+0.44 EUR
190+ 0.38 EUR
260+ 0.28 EUR
275+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 165
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : onsemi cph6341-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 6-CPH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
auf Bestellung 7961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+0.99 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 18
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : onsemi CPH6341_D-1803716.pdf MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.11 EUR
10+ 0.98 EUR
100+ 0.75 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W Hersteller : ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)