CSD16406Q3 Texas Instruments
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Technische Details CSD16406Q3 Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7, Bauform - Transistor: SON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote CSD16406Q3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V |
auf Bestellung 6937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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CSD16406Q3 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CSD16406Q3 | Hersteller : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: SON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
N-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments Produktcode: 108023 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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CSD16406Q3 | Hersteller : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
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